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신소재 '스마트 출입문'으로 낸드플래시 용량 한계 넘었다
동아사이언스
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2026.03.20
기술이 개발됐다. KAIST는 조병진 전기및전자공학부 교수 연구팀이 신소재 '붕소 산질
화물
(BON)'을 반도체 메모리에 적용해 데이터 삭제 속도를 기존 대비 최대 23배 높이면서도 저장 안정성을 확보하는 데 성공했다고 20일 밝혔다. 연구 결과는 반도체 분야 최고 권위 학술대회인 '국제전자소자학회 ... ...
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