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신소재 '스마트 출입문'으로 낸드플래시 용량 한계 넘었다
동아사이언스
l
2026.03.20
연구팀은 BON의 특성을 활용해 데이터를 지울 때 필요한 양의 전하를 쉽게 통과시키고
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된 데이터는 밖으로 빠져나가지 못하도록 막는 '비대칭 에너지 장벽' 구조를 설계했다. 들어올 때는 잘 열리고 나갈 때는 굳게 닫히는 스마트 출입문을 반도체 안에 구현한 셈이다. BON 터널링층의 비대칭 ... ...
지상 방사선 실험으로 우주용 AI반도체 성능 검증…"국산화 초석"
동아사이언스
l
2026.03.20
저하와 오작동, 영구적인 고장까지 일으킨다. 메모리반도체의 경우 방사선에 노출되면
저장
된 정보가 변질될 위험이 있다. 연구팀은 차세대 반도체 소재인 인듐-갈륨-아연 산화물(IGZO) 기반 뉴로모픽 트랜지스터를 제조하고 내방사선 성능을 검증했다. 트랜지스터는 전기 신호를 증폭하거나 전류 ... ...
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