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신소재 '스마트 출입문'으로 낸드플래시 용량 한계 넘었다동아사이언스 l2026.03.20

셀을 위로 층층이 쌓는 '3차원 V-낸드 기술'을 쓰고 있으며 셀 하나에 저장하는 데이터 양도 점점 늘어나는 추세다.   문제는 메모리 셀 안에서 전자가 드나드는 통로인 터널링 층에 있다. 터널링 층은 데이터를 쓰거나 지울 때 전하가 통과하는 매우 얇은 절연막이다.   기존 소재의 경우 데이터를 ... ...