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신소재 '스마트 출입문'으로 낸드플래시 용량 한계 넘었다
동아사이언스
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2026.03.20
구조 및 동작 원리 모식도. KAIST 제공 실험 결과 BON 터널링층을 적용한 소자는 데이터
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속도가 기존 대비 최대 23배 향상됐고 수만 번 반복 사용 후에도 성능이 그대로였다. 32단계 전압 상태를 구분해야 하는 셀 동작에서도 소자 간 데이터 분포의 정밀도를 3배 이상 높이는 데 성공했다. 조병진 ... ...
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