추천검색어 되풀이 중복 순환 거듭 회귀 재발 2중화

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신소재 '스마트 출입문'으로 낸드플래시 용량 한계 넘었다동아사이언스 l2026.03.20

BON 터널링층을 적용한 소자는 데이터 삭제 속도가 기존 대비 최대 23배 향상됐고 수만 번 반복 사용 후에도 성능이 그대로였다. 32단계 전압 상태를 구분해야 하는 셀 동작에서도 소자 간 데이터 분포의 정밀도를 3배 이상 높이는 데 성공했다.   조병진 교수는 "차세대 초고용량 메모리 제조에 바로 ... ...