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신소재 '스마트 출입문'으로 낸드플래시 용량 한계 넘었다동아사이언스 l2026.03.20

BON)'을 반도체 메모리에 적용해 데이터 삭제 속도를 기존 대비 최대 23배 높이면서도 저장 안정성을 확보하는 데 성공했다고 20일 밝혔다. 연구 ... 꺼져도 데이터가 사라지지 않는 것이 특징이다. 더 많은 데이터를 더 작은 공간에 저장하기 위해 메모리 셀을 위로 층층이 쌓는 '3차원 V-낸드 기술'을 ... ...